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Si1563EDH
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
5
4
3
2
1
0
V DS = 10 V
I D = 1 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0. 8
0.6
V GS = 4.5 V
I D = 0. 88 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
1.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
2
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Char g e
1.6
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
1
T J = 150 °C
1.2
0. 8
I D = 0. 88 A
0.1
T J = 25 °C
0.4
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
0.30
V SD - S o u r c e - t o - D r a i n V o l t a g e ( V )
Source-Drain Diode Forward Volta g e
5
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Volta g e
0.25
0.20
I D = 100 μA
4
0.15
3
0.10
0.05
2
0.00
- 0.05
- 0.10
- 0.15
1
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
6 0 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Volta g e
Time (s)
Sin g le Pulse Power, Junction-to-Ambient
Document Number: 71416
S12-1258-Rev. E, 21-May-12
For more information please contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
7
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